RX 9070 XT 上的内存温度问题，一直受到玩家关注。 社群大多不满 HYNIX GDDR6 VRAM 的温度有点太高，意指 90 度或以上，既担心也不好看。 这边的温度是指由 HWINFO / GPU-Z 等软件所读取到的数值。 没想到有用户亲自下场自己测（来源），利用 TYPE K THERMOCOUPLE 量测 HYNIX GDDR6 内存表面温度，更得出惊人结果！
RX 9070 XT 不同品牌 GDDR6 温差没那么大
HWINFO 早已说是 JUNCTION TEMP
百度贴吧的显卡吧上有一位名为OpzrL的网友，表示在更换导热贴后，成功把原来接近100度的G6 HYNIX温度降至约90度。 所以更换导热贴的效果还是很显著，只是本来就太热所以降十度也还是九十度。 为了搞清楚软件所测量的温度是不是所谓的内部温度所以才那么热，他自费购入设备，准备自行检查内存表面温度。
笔者整理了他在 HYNIX GDDR6 上测量到的结果：
- 第一组数据测量核心上方的内存 （软件 / 硬件）：
- 闲置：54C / 30.6C
- 烧机前期：76C / 46.8C
- 烧机中期：88C / 63.1C
- 烧机后期：90C / 67.4C
- 烧机停止：78C / 57.9C
- 烧机停止久一点：73C / 52.0C
- 第二组数据测量核心左边的内存 （软件 / 硬件）：
- 闲置： 54C / 30.5C
- 烧机初期： 72C / 47.2C
- 烧机后期： 84C / 61.0C
- 烧机停止：72C / 52.8C
- 第三组数据测量核心右边的内存 （软件 / 硬件）：
- 闲置： 54C / 31.2C
- 烧机初期： 76C / 53.0C
- 烧机后期： 82C / 59.8C
- 烧机停止：72C / 50.4C
后来该网友另外买了一张采用三星GGDDR6的RX 9070 XT（型号不一样，散热规模大得多），又再测一次：
- 第一组数据 （软件 / 硬件）：
- 闲置：30C / 30.7C
- 烧机初期： 68C / 51.9C
- 烧机后期： 80C / 57.1C
- 烧机停止：42C / 39.7C
他最后总结指出，两款内存在烧机时的温差都是二十多度，他估计SAMSUNG GDDR6大概比HYNIX GDDR6低约五度。 值得注意的是两者的 VDDIO / Vmem （G6） 在烧机时都是 ~1.35V，并没有如传言中 SAMSUNG G6 负载时的电压只有 1.2V 甚至 1.1V ，远低于 HYNIX G6 1.35V 的情况。
所以，Tcase 跟 Tjunction 就是不一样，有差很正常。 从 OpzrL 的测试显示，无论是 HYNIX GDDR6 或是 SAMSUNG GDDR6，其实它们温差都差不多。 软件读到的是内部温度 Tjunction！ 不过这个内部温度也不是没有参考价值，因为从51972的测试来看（来源），要是达到100度以上，显示卡会出现各种不稳现象。
